Taiwan Semiconductor wypuścił drugą generację swoich 600 v tranzystorów mocy typu MOSFET w technologii Super Junction. Oferują one któtsze i bardziej efektywne czasy przełączania, poprawiony współczynnik dobroci iszybsze ustalanie charakterystyki wstecznej.

Rodzina N-kanałowych tranzystorów MOSFET dużej mocy TSM60NBxxx posiadają rezystancję RDS(on)(max) o wartościach od 190 mΩ do 1.4 Ω. Zaawansowana własna technologia super-junction została zaprojektowana, aby rozwiązać ograniczenia wydajności w tranzystorach MOSFET o dużych napięciach, poprzez poprawę współczynnika dobroci RDS(on) * Qg w aplikacjach przełączających. Niska wartość RDS(on), mały ładunek bramki (Qg) oraz szybkie ustalanie charakterystyki wtecznej zmniejsza straty wywołane przez pojemność i przełączanie. komponenty te dostępne są w szerokiej gamie termicznie wydajnych, niezawodnych, zgodnych z RoSH/REACH i bezhalogenowych obudów, dając możliwość dopasowania ich również do aplikacji o ograniczonych wymiarach.

Główne zalety:
• Druga generacja technologii Super-Junction
• Przeprowadzone testy UIS (Unclamped Inductive Switching) w 100%
• Mały ładunek bramki, poprawiony wsp. dobroci
• Szybkie ustalanie charakterystyki wstecznej
• Bezhalogenowe obudowy zgodne z RoHS/REACH

Aplikacje:
• Oświetlenie LED
• Ładowarki i adaptery
• Poprawa współczynnika mocy w zasilaczach impulsowych
• MOSFET strony pierwotnej w topologii LLC

Karty katalogowe można pobrać ze strony producenta: TSM60NBXX

Nasi lokalni inżynierowie aplikacyjni i handlowcy z chęcią wspomogą Państwa i zapewnią więcej informacji.